[GaN代測] 氮化鎵 GaN 元件靜態/動態及動態可靠度測試服務
實現 GaN 氮化鎵元件等寬能隙半導體商業化的首要條件即是要確保元件的穩定與可用性。我們正式開放提供「封裝元件動態參數分析」、「晶圓動態參數分析」與「動態可靠度分析」代測服務。
實現寬能隙半導體商業化的關鍵
Dynamic Rdson, Vth & Vsd 是動態測試的三個重要關鍵參數。市面上現有的分析儀提供了靜態測試，但如何得知實際操作狀態下的動態數據？花了大把時間設計的 GaN 元件，若無法得知操作狀態下的參數，便無法確保上系統後的效果。
要加速 GaN 的商業化與量產化，首先要確保元件的穩定性。為此，我們不僅提供 DSA1010、DDA8010、WPDDA6505 及 DDRA8010 等專業設備銷售，更正式開放專業代測服務！
正式開放：氮化鎵元件代測方案
動態量測基礎方案
- ● 單次測試數量： 1 DUT / per Test
- ● 靜態測試： DC Vth/Ron, CV Curve, DC BVdss
- ● 動態測試： Dynamic Rdson, Vth, Vsd
- ● 量測溫度： 25°C - 175°C (可調)
- * 依元件特性設計彈性條件 (Vgs, 頻率, Duty)
動態量測進階方案
- ● 包含基礎方案所有項目
- ● 可靠度分析： 提供動態 HTOL 分析
- ● HTOL 停止條件： 特定時間或特定 Rdson 阻值
- ● 計價單位： 12 小時為最小單位
- * 提供 HTOL 前後之完整動態/靜態量測對比
多元件可靠度基礎方案
● 單次數量： 10 DUT / per Test
提供 10 個元件之 HTOL 動態可靠度分析 (不含單顆深度參數)。
多元件可靠度進階方案
● 單次數量： 10 DUT / per Test
結合方案 A 之深度量測 + 10 顆元件之並行 HTOL 可靠度分析。
專屬 GaN 動態分析系統
封裝用 DDA8010
晶圓用 WPDDA6505
