[GaN代測] 正式開放代測! 氮化鎵GaN元件靜態/動態及動態可靠度測試代測服務
實現GaN氮化鎵元件等寬能隙半導體商業化的首要條件即是要確保元件的穩定與可用性，為此我們提供三套解決方案-封裝半導體元件動態參數分析儀、晶圓半導體元件動態參數分析儀與動態可靠度分析儀，並於2022年11月份正式開放提供代測服務
實現寬能隙半導體GaN氮化鎵元件商業化的首要條件
Dynamic Rdson, Vth & Vsd是動態測試的三個重要關鍵參數，市面上現有的半導體參數分析儀提供了GaN氮化鎵元件在靜態下的Rdson、Vth、Vsd測試需求，但要如何得知在實際操作狀態下的動態Rdson、Vth、Vsd呢？花了大把時間設計的GaN元件，若無法得知操作狀態下的動態參數，又要如何確保元件上系統後的效果呢？要加速GaN的商業化、量產化，首先要確保元件的穩定及可用性。為此，我們不僅提供DSA1010 半導體靜態參數分析儀、DDA8010半導體元件動態參數分析儀、WPDDA6505晶圓探測動態分析儀、DDRA8010元件動態可靠度分析儀，更於2022年11月份正式開放代測服務！
正式開放氮化鎵元件代測服務
動態量測基礎方案
◆ 單次測試DUT數量
1 DUT/ per Test
◆ 靜態測試項目
DC Vth/Ron、CV Curve、DC BVdss
◆ 動態測試項目
Dynamic Rdson、Vth、Vsd
◆ 量測溫度
- 室溫(Room Temp.)、高溫(High Temp.)
- 可調整範圍: 25°C - 175°C
◆ 依照使用者元件特性設計彈性量測條件
溫度、電壓、電流、頻率、Duty、Vgs
動態量測進階方案
◆ 單次測試DUT數量
1 DUT/ per Test
◆ 靜態測試項目
同方案A, HTOL前、後各一次靜態量測
◆ 動態測試項目
- 同方案A, HTOL前後各一次室溫及高溫動態量測
- 提供動態可靠度的HTOL分析
◆ 量測溫度
- 室溫(Room Temp.)、高溫(High Temp.)
- 可調整範圍: 25°C - 175°C
◆ HTOL 量測時間與停止條件
- 量測時間以12小時為最小計價單位
- 停止條件設定：特定時間或特定動態Rdson阻值
◆ 依照使用者元件特性設計彈性量測條件
溫度、電壓、電流、頻率、Duty、Vgs、HTOL時間
多元件可靠度
動態量測基礎方案
◆ 單次測試DUT數量
10 DUT/ per Test
◆ 靜態測試項目
同方案A, HTOL前、後各一次靜態量測
◆ 動態測試項目
- 提供10個元件動態可靠度的HTOL分析
- 此方案不含Dynamic Rdson、Vth、Vsd
◆ 量測溫度
- 室溫(Room Temp.)、高溫(High Temp.)
- 可調整範圍: 25°C - 175°C
◆ HTOL 量測時間與停止條件
- 量測時間以12小時為最小計價單位
- 停止條件設定：特定時間或特定動態Rdson阻值
◆ 依照使用者元件特性設計彈性量測條件
溫度、電壓、電流、頻率、Duty、Vgs、HTOL時間
多元件可靠度
動態量測進階方案
◆ 單次測試DUT數量
10 DUT/ per Test
◆ 靜態測試項目
同方案A, HTOL前、後各一次靜態量測
◆ 動態測試項目
- 同方案A, HTOL前後各一次室溫及高溫動態量測
- 提供10個元件動態可靠度的HTOL分析
◆ 量測溫度
- 室溫(Room Temp.)、高溫(High Temp.)
- 可調整範圍: 25°C - 175°C
◆ HTOL 量測時間與停止條件
- 量測時間以12小時為最小計價單位
- 停止條件設定：特定時間或特定動態Rdson阻值
◆ 依照使用者元件特性設計彈性量測條件
溫度、電壓、電流、頻率、Duty、Vgs、HTOL時間
- What We Offer -
Basic Dynamics Package
• Static Characterization
1. RT Vth/Ron
2. RT CV curve
3. RT BVdss
• Dynamic Characterization
1. RT/HT Dynamic Rdson
2. RT/HT Dynamic Vth
3. RT/HT Dynamic Vsd
Advanced Dynamics Package
• Characterization
1. RT static characterization before DHTOL
2. RT/HT Dynamic Rdson before DHTOL
3. RT/HT Dynamic Vth before DHTOL
4. RT/HT Dynamic Vsd before DHTOL
5. RT/HT Dynamic Rdson post DHTOL
6. RT/HT Dynamic Vth post DHTOL
7. RT/HT Dynamic Vsd post DHTOL
8. RT static characterization post DHTOL
• Dynamic HTOL
1. HT Dynamic HTOL
Basic Dynamic Reliability Package
• Static Characterization
1. RT Ron/Vth before DHTOL
2. RT BVdss before DHTOL
3. RT Ron/Vth post DHTOL
4. RT BVdss post DHTOL
• Dynamic HTOL
1. HT Dynamic Reliability HTOL * 10DUT
Advanced Dynamic Reliability Package
• Static Characterization
1. RT Ron/Vth before DHTOL
2. RT BVdss before DHTOL
3. RT Ron/Vth post DHTOL
4. RT BVdss post DHTOL
• Dynamic Characterization
1. RT/HT Dynamic Rdson before DHTOL
2. RT/HT Dynamic Vth before DHTOL
3. RT/HT Dynamic Vsd before DHTOL
4. RT/HT Dynamic Rdson post DHTOL
5. RT/HT Dynamic Vth post DHTOL
6. RT/HT Dynamic Vsd post DHTOL
• Dynamic HTOL
1. HT Dynamic Reliability HTOL * 10DUT
三套專為GaN氮化鎵動態分析而製的分析系統
我們提供完整的寬能隙半導體元件動態測試系統，除了封裝元件、wafer-level GaN HV+HP動態量測之外，更有動態可靠度分析儀，輕鬆實現封裝、晶圓甚至多顆元件在操作狀態下測試Dynamic Rdson、Dynamic Vth、Dynamic Vsd等動態參數
封裝用：DDA8010半導體元件動態參數分析儀
晶圓用：WPDDA6505晶圓探測動態分析儀
WPDDA6505晶圓探測動態分析儀是DDL結合 MPI 探針台實現 wafer-level GaN HV + HP 動態量測，能自動或手動定位晶圓，並且內建溫控系統，在不同溫度下實現更有效率的晶圓動態量測。
可靠度用：DDRA8010元件動態可靠度分析儀
DDRA8010元件動態可靠度分析儀可以同時測試多個氮化鎵元件的動態特性，並利用高溫加速老化評估GaN元件在真實系統上的生命週期，更能確保元件的穩定及可用性。
實際測試影片
我們提供完整的元件動態測試系統，除了封裝元件、wafer-level GaN HV+HP動態量測之外，更有動態可靠度分析儀，輕鬆實現封裝、晶圓甚至多顆元件在操作狀態下測試Dynamic Rdson、Dynamic Vth、Dynamic Vsd等動態參數，實際測試影片！
DDA8010 Dynamic Rdson vedio
聯絡資訊
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新北市三重區重新路五段609巷12號2樓之1