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確保 GaN 氮化鎵元件穩定性並加速商業化的核心解決方案

加速 GaN 氮化鎵元件商業化的秘密武器:動態穩定性分析方案

實現寬能隙半導體商業化的首要條件即是要確保元件的穩定與可用性。我們提供三套核心解決方案,協助研發團隊掌握操作狀態下的動態參數。

如何確保 GaN 元件的穩定與可用性?

Dynamic Rdson, Vth & Vsd 是動態測試的三個關鍵參數。市面上現有的靜態分析儀已無法滿足實際操作狀態下的數據需求。針對此一挑戰,我們提供三套專為 GaN 動態分析而製的系統,不只可在操作狀態下測試動態參數,還自帶溫控系統,可透過高溫加速老化,評估元件在真實系統上的生命週期。

封裝用:DDA8010
半導體元件動態參數分析儀

提供量測設備、友善介面與溫控裝置,直接在系統上模擬實際操作狀態,精準測量動態參數。

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晶圓用:WPDDA6505
晶圓探測動態分析儀

結合 MPI 探針台實現 Wafer-level 動態量測,內建溫控系統,實現高效能的晶圓量測。

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可靠度用:DDRA8010
元件動態可靠度分析儀

同時測試多個 GaN 元件動態特性,利用高溫加速老化評估元件生命週期,確保穩定性。

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實際測試影片展示

Dynamic Rdson Demo

Dynamic Vsd Demo

Dynamic Vth Demo

加速您的 GaN 商業化進程

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