探索氮化鎵（GaN）功率元件的先進動態分析解決方案
氮化鎵（GaN）等功率半導體在半導體產業中已成為不可或缺的材料，尤其是在高功率和高頻應用方面，如快充技術、電動車和數據中心等。GaN具備處理高電壓並提升能效的能力，徹底改變了電力電子領域。
GaN 動態分析的挑戰
儘管 GaN 擁有相較傳統矽基材料更高的效率與更小的尺寸，但它對某些效應（例如 Trapping）也更為敏感。Trapping 是指材料中的缺陷會捕捉電子或電洞，進而影響元件的電性參數，如動態導通電阻（Dynamic Rdson）、動態臨界電壓（Dynamic Vth）和動態源極-汲極電壓（Dynamic Vsd）。
這些參數對於理解 GaN 元件在實際操作條件下的行為至關重要。傳統的量測技術往往難以捕捉這些動態效應。標準方法通常無法精確測量操作過程中電性特性的瞬態變化，為此我們開發了新的測試解決方法。
三大 GaN 動態分析的全面解決方案
為了解決這些挑戰，我們提供三種專門設計的動態分析系統：
Dynamic Rdson Measurement
Rdson 能測量元件在不同電壓下的導通電阻變化，幫助工程師深入了解 Trapping 對電阻的影響。這對於要求高效能的應用至關重要。
Dynamic Vth and Vsd Measurement
我們提供完整的解決方案來測量 Dynamic Vth 和 Dynamic Vsd，讓工程師更好的了解 GaN 元件在各種開關條件下的行為。
Device Dynamic Reliability Analyzer
專注於透過獨立因素加速來提取動態可靠性數據，評估元件壽命與穩定性。針對封裝級和晶圓級（HV+HP）進行測試。
Load Quasi-System for Low Power Consumption
我們的動態分析解決方案的一大特色是 Load Quasi-System，能夠在非常低的功耗下進行量測。與 JEDEC 推薦的傳統方法相比，我們的方式可以測試更多的參數，並進行更全面的 GaN 元件分析。此外，該方法在參數設置上具有更高的自由度，讓使用者依需求自訂測試。
我們解決方案的優勢
縮短測試時間
從元件設計到系統級回饋的時間可以從 數年大幅縮短至僅幾個月。這種加速的進度能讓企業更快完成開發周期。
多元件同時測試
能夠在可編程的開關條件下同時測試多個元件，便於比較不同元件或批次的性能，這在品質控制中特別實用。
為何 GaN Trapping 值得關注
GaN 材料中的 Trapping 可能導致多種問題，從增加功率損耗到降低元件可靠性不等。透過精確測量動態導通電阻（Dynamic Rdson）、臨界電壓（Dynamic Vth）和源極-汲極電壓（Dynamic Vsd），我們能更好的了解這些效應並減少其影響。
