本專欄專注於 三代半導體 (GaN/SiC) 的前瞻量測技術，深入探討元件在高速切換 (Switching) 狀態下的動態表現與 Trapping 效應影響。
提供 技術白皮書、實測影片與專業代測服務方案，分享封裝與晶圓級測試實務，協助研發人員克服量測瓶頸並加速商業化進程。
◈ GaN 氮化鎵動態參數分析 ◈ Trapping 效應與可靠度評估 ◈ 封裝/晶圓級動態量測實務 ◈ 商業化代測方案與技術支援
探索氮化鎵（GaN）功率元件的先進動態分析解決方案
GaN 具備高電壓與高能效優勢，但在動態特性分析上面臨諸多挑戰。本文將針對 GaN 元件在不同操作條件下的行為，提供包含封裝用、晶圓用及可靠度分析等三大全面解決方案，協助研發工程師捕捉精確的瞬態數據。